CFSE是什麼意思,CFSE的意思翻譯、用法、同義詞、例句
常用詞典
abbr. 晶體場穩定化能(Crystal Field Stabilization Energies)
例句
CFSE staining is an effective method for lymphocyte proliferative assay.
CFSE标記是一種有效的檢測淋巴細胞增殖的方法。
The reactive dyestuff CFSE has been widely applied in recent years, and its mechanism has clarified gradually.
近年來活體染料CFSE已被廣泛應用,其作用機制也逐漸闡明。
Proliferation of T cells was observed under inverted microscope and detected after CFSE staining by flow cytometry.
通過顯微鏡觀察和綠色熒光染料CFSE 标記後流式細胞術檢測方法來判斷T細胞克隆增殖情況;
Conclusion With the advantages of high rate of dyeing, long time of tracing, safety and convenience, CFSE can be used as a new method to label the rabbit's IPE cells.
結論活體染料CFSE是一種染色率高,追蹤時間長,應用簡便安全可靠的标記兔ipe細胞的新方法。
Objective To investigate the feasibility of labeling iris pigment epithelial(IPE)cells of rabbits with 5-(and 6-)carboxyfluorescein diacetate succinimidyl ester(CFSE).
目的探讨活體染料羧基熒光素乙酰乙酸琥珀酰亞胺酯(CFSE)标記兔眼虹膜色素上皮(IPE)細胞的可行性。
專業解析
CFSE(Crystal Field Stabilization Energy,晶體場穩定化能)是配位化學中的一個核心概念,用于量化過渡金屬離子在配體形成的晶體場中,由于d軌道能級分裂而獲得的額外穩定性(能量降低值)。其計算基于電子在分裂後的d軌道中的排布方式。
以下是詳細解釋:
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理論基礎:晶體場理論
- 當帶負電的配體(L)靠近中心金屬離子(M)時,會産生一個靜電場(晶體場)。
- 這個電場對中心金屬離子能量簡并的五個d軌道産生不同的排斥作用,導緻d軌道發生能級分裂。
- 分裂的具體模式取決于配體場的幾何構型(如八面體、四面體、平面正方形等)。
- 八面體場:最常見。d軌道分裂為兩組:能量較低的t₂g軌道(dxy, dyz, dzx)和能量較高的eg軌道(dx²-y², dz²)。分裂能(Δₒ或10Dq)是eg和t₂g軌道之間的能量差。
- 四面體場:分裂模式與八面體場相反(但分裂能Δₜ較小,Δₜ ≈ 4/9 Δₒ),e軌道能量低于t₂軌道。
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CFSE的定義與計算
- CFSE是指中心金屬離子的d電子優先填入能量較低的軌道時,整個配合物體系所降低的能量值。
- 計算CFSE需要:
- 确定配合物的幾何構型(決定d軌道分裂模式)。
- 知道分裂能(Δₒ或Δₜ等)。
- 确定d電子數及其在分裂軌道中的排布(考慮高自旋或低自旋狀态)。
- 計算方法:将每個占據在t₂g軌道上的電子視為穩定化能貢獻 -0.4Δₒ(八面體),每個占據在eg軌道上的電子視為去穩定化能貢獻 +0.6Δₒ(八面體)。CFSE是所有這些電子能量貢獻的總和(以Δₒ或cm⁻¹, kJ/mol等單位表示)。
- 計算公式(八面體場):
$$ CFSE = [(-0.4 times n{t{2g}}) + (0.6 times n_{e_g})] Deltao $$
其中 ( n{t{2g}} ) 是占據t₂g軌道的電子數,( n{e_g} ) 是占據eg軌道的電子數。
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影響CFSE大小的因素
- 中心金屬離子:主要影響分裂能Δ的大小。同一周期中,金屬離子電荷越高,Δ越大;同族金屬離子,周期數越大(主量子數n越大),Δ越大。
- 配體:配體場強度不同(光譜化學序列),強場配體(如CN⁻, CO)産生大的Δ,弱場配體(如I⁻, Br⁻)産生小的Δ。
- 幾何構型:八面體場的Δₒ通常遠大于四面體場的Δₜ。
- d電子數及排布:CFSE的大小直接取決于有多少電子能占據低能軌道。具有特定d電子構型(如d³, d⁸低自旋)的離子往往有較高的CFSE。
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CFSE的意義與應用
- 解釋配合物穩定性:CFSE高的配合物通常更穩定。例如,[Co(NH₃)₆]³⁺(d⁶, 低自旋,CFSE高)比[CoF₆]³⁻(d⁶, 高自旋,CFSE低)穩定得多。
- 解釋離子水合能偏差:第二、第三過渡系金屬離子的水合能比基于單純靜電模型預測的高,這歸因于較大的CFSE。
- 解釋晶格能偏差:類似地,過渡金屬化合物的晶格能也存在偏差,可用CFSE解釋。
- 解釋配合物結構:CFSE是決定配合物采取八面體、四面體還是平面正方形構型的重要因素之一。例如,d⁸離子(如Ni²⁺)在強場下常形成平面正方形配合物(CFSE更高)。
- 解釋動力學性質:CFSE影響配體交換反應的活化能(取代反應中的晶體場活化能,CFAE)。
權威參考來源:
- 《無機化學》教材:國内外廣泛使用的大學無機化學教材(如Shriver & Atkins' Inorganic Chemistry, Greenwood & Earnshaw's Chemistry of the Elements, 以及國内諸多版本如北師大版、吉大版等)均在配位化學章節詳細闡述晶體場理論和CFSE。這些教材是理解該概念最基礎、最權威的資料來源。
- IUPAC (國際純粹與應用化學聯合會):IUPAC的術語數據庫或相關項目文件(如Gold Book)提供了CFSE的标準定義和背景。訪問其官網可獲取最權威的化學術語解釋。
- 大學化學課程網站:許多頂尖大學(如MIT OpenCourseWare, UC Berkeley, 國内清北等)的公開課程資料或講義中都有關于晶體場理論和CFSE的詳細講解和計算示例。這些資源通常由領域專家編寫,具有較高的權威性和教育價值。
- 專業數據庫與工具:如CRC Handbook of Chemistry and Physics,提供了大量配合物的熱力學數據(如水合焓、晶格能),這些數據可用于驗證CFSE理論對穩定性的解釋。
網絡擴展資料
CFSE是不同領域中具有多重含義的縮寫,主要涉及以下兩類解釋:
一、晶體場穩定能(Crystal Field Stabilization Energy)
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定義
CFSE是晶體場理論中的核心概念,指中心原子(如過渡金屬離子)的d軌道在配位場作用下發生能級分裂後,電子重新排布所釋放的能量差值。該能量差使配合物更穩定。
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計算與應用
- 在八面體場中,d軌道分裂為高能的( eg )軌道和低能的( t{2g} )軌道,CFSE計算公式為:
$$
text{CFSE} = sum (n{t{2g}} times 0.4Deltao) - sum (n{e_g} times 0.6Delta_o)
$$
其中(Delta_o)為分裂能,(n)為對應軌道的電子數。
- 用于解釋配合物的穩定性、離子水化熱變化規律等實驗現象。
二、熒光染料(Carboxyfluorescein Succinimidyl Ester)
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功能與原理
CFSE(或CFDA-SE)是一種細胞标記染料,可穿透活細胞膜,與胞内蛋白共價結合,水解後釋放綠色熒光。其熒光強度隨細胞分裂逐級減半,用于追蹤細胞增殖、分裂及周期分析。
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實驗應用
- 通過流式細胞術或熒光顯微鏡檢測,激發波長為490 nm。
- 適用于免疫學、腫瘤學等領域,研究細胞動态行為。
CFSE的具體含義需結合上下文判斷:在化學中代表晶體場穩定能,在生物醫學中則指細胞熒光标記染料。若需進一步了解某領域細節,可參考對應文獻或實驗手冊。
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