n. （在原子外殼中的）雙空位
n.|divacancy;（在原子外殼中的）雙空位
在材料科學領域，"bivacancy"（雙空位）指晶體結構中兩個相鄰原子缺失形成的缺陷。這種缺陷通常出現在金屬、半導體或離子晶體中，當晶格點陣上原本應存在的兩個原子同時缺失時形成，其結構特征可通過透射電子顯微鏡觀察。
雙空位的形成機制與能量狀态密切相關。根據《物理評論B》期刊的研究，雙空位形成能比單個空位更低，因為兩個空位的結合能抵消了部分晶格畸變産生的應力。這種缺陷會顯著影響材料的電學性能，例如在矽晶體中，雙空位可能作為複合中心降低載流子遷移率。
在功能材料領域，德國馬普固體研究所的實證研究表明，氧化鋅納米線中的雙空位缺陷會增強紫外光吸收能力，這種現象被應用于新型光催化材料的開發。該缺陷的濃度控制已成為半導體器件制造過程中的重要工藝參數。
"bivacancy"是一個專業術語，主要在材料科學和固體物理領域使用。以下是詳細解釋：
核心定義 該詞由前綴"bi-"(雙)和"vacancy"(空位)組成，特指晶體結構中兩個相鄰原子位置同時缺失形成的雙空位結構。這種結構缺陷常見于金屬、半導體等晶體材料中。
相關特性
對比說明 與單空位(vacancy)相比，雙空位具有更強的相互作用能。例如在矽晶體中，雙空位遷移能約為1.3eV，而單空位僅需0.45eV。
該術語屬于高度專業化詞彙，日常英語中并不使用。如需更詳細的原子級結構圖示或實驗數據，建議查閱材料科學領域的專業文獻。
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