偏置電路；偏壓電路
Section three is the design of bias circuit.
第三部分是對偏置電路的設計與測試。
Avalanche photodiode APD bias circuit generated.
雪崩光電二極管apd的偏壓産生電路。
The drain side bias circuit provides a drain side bias.
一漏極端偏壓電路，用于提供一漏極端偏壓；
The analysis of sector bias circuit for microwave active networks is made by means of the theory of radial transmission line.
利用徑向傳輸線理論對微波有源網絡的扇形偏置電路進行了分析。
The signal receiver circuit including the first stage, second stage circuit, the current compensation circuit and bias circuit.
該信號接收器包含第一級電路、第二級電路、電流補償電路以及偏壓電路。
偏置電路（Bias Circuit）是電子工程（特别是模拟電路設計）中的核心概念，指為有源器件（如晶體管、電子管）建立并維持特定直流工作點的電路網絡。其核心作用是确保器件在信號處理過程中始終工作在所需的線性或放大區域，避免因工作點漂移導緻的信號失真或器件損壞。
建立靜态工作點（Q點）
偏置電路通過提供穩定的直流電壓或電流，使晶體管等器件的基極-發射極電壓（VBE）、集電極電流（IC）等參數固定于設計值。例如，對雙極型晶體管（BJT），需滿足： $$ IB = frac{V{CC} - V_{BE}}{R_B}, quad I_C = beta I_B $$ 其中β為電流放大系數。這一過程确保器件在無信號輸入時已處于導通狀态，為放大動态信號奠定基礎 。
抑制溫度漂移與參數波動
器件特性易受溫度及制造工藝影響。高性能偏置電路（如電流鏡、帶隙基準源）可自動補償溫度變化導緻的阈值電壓漂移或β值變化，維持工作點穩定 。
固定偏置電路
通過電阻分壓直接設定基極電壓（圖a），結構簡單但穩定性較差，適用于要求不高的場景。
公式示例：
$$ V_B = frac{R_2}{R_1 + R2} V{CC}, quad I_C approx frac{VB - V{BE}}{R_E} $$
自偏置（射極/源極反饋）電路
引入射極電阻RE（圖b），利用負反饋原理穩定工作點。當IC增大時，RE壓降升高，迫使VBE降低，從而抑制IC增長 。
穩定性提升：
$$ S = frac{Delta IC}{Delta I{CO}} propto frac{1}{1 + beta frac{R_E}{R_B}} $$ （S為穩定系數，值越小穩定性越佳）
電流源偏置
采用電流鏡為差分對管等提供精确且溫度無關的偏置電流，廣泛用于集成電路（圖c）。其核心是利用帶隙基準源生成與溫度無關的參考電流 。
權威參考文獻：
在電子工程中，“bias circuit”（偏置電路）是指為電子器件（如晶體管、二極管等）提供穩定工作點的電路，确保器件在特定模式下（如放大、開關等）正常運行。以下是詳細解釋：
如需進一步了解具體電路設計或公式，可參考電子工程教材或專業文獻。
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