
【电】 photoconductive gain factor
光电导增益系数(Photoconductive Gain Factor)是光电导效应中的核心参数,用于量化光敏材料将入射光子转换为有效载流子并产生电流放大的能力。该系数在光电器件(如光电探测器、光敏电阻)的设计与性能评估中具有关键作用。以下为详细解析:
1. 定义与物理意义
光电导增益系数($G$)定义为材料内部光生载流子的有效寿命($tau$)与其渡越时间($t{text{tr}}$)的比值,即: $$ G = frac{tau}{t{text{tr}}} $$ 其中,渡越时间$t_{text{tr}} = L / (mu V)$,$L$为电极间距,$mu$为载流子迁移率,$V$为外加电压。该公式表明,增益系数可通过延长载流子寿命或缩短渡越时间提升。
2. 影响因素
3. 应用场景
高光电导增益系数的材料广泛应用于弱光探测(如夜视传感器)和高速光通信系统。例如,砷化镓(GaAs)基光电探测器因其高$mu$值可实现纳秒级响应。
权威参考来源
光电导增益系数是描述光电导效应中载流子寿命与渡越时间关系的物理量,用于衡量光照下半导体电导率的增强程度及其器件灵敏度。以下是详细解释:
光电导增益系数(通常记为( G ))表示单位时间内光生载流子对电流的贡献效率。其核心是光生载流子(电子和空穴)的寿命(( tau_n, taup ))与它们在电场作用下的渡越时间(( t{trn}, t_{trp} ))的比值。公式为: $$ G = frac{taun}{t{trn}} + frac{taup}{t{trp}} $$ 其中,渡越时间( t_{tr} = L/(mu V) ),( L )为材料长度,( mu )为迁移率,( V )为外加电压。
结合电场作用,增益系数还可表示为: $$ G = frac{V}{L} (mu_n tau_n + mu_p tau_p) $$ 这表明增益系数与电压、迁移率及载流子寿命均呈正相关。
高光电导增益系数的器件常用于光敏电阻、光电探测器等,其灵敏度直接依赖于( G )的大小。例如,通过优化材料掺杂或减小电极间距可提升增益系数。
如需进一步了解公式推导或应用案例,可参考完整内容。
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