
【电】 recombination-generation center
complex; composite; compound
【化】 recombination
【医】 combination; recombination
【经】 compound
bring; come into being; engender; produce; result; give birth to
【化】 creation; yield
【医】 production
【经】 accrue
centrality; centre; centricity; core; heart; hub; kernel
【医】 center; centra; centre; centro-; centrum; core
从汉英词典角度解析,"复合产生中心"(fùhé chǎnshēng zhōngxīn)是一个专业复合词,需拆解其构成并结合技术语境理解:
指由两种或以上不同元素/材料组合形成的结构,强调异质整合特性。
指能量、粒子或信号的激发、形成过程,如半导体中的载流子产生。
指实现核心功能的关键区域或结构单元。
综合定义:指在材料或器件中,通过异质结构组合实现特定物理过程(如能量转换、粒子生成)的核心功能区域。
该术语常见于以下领域:
"复合产生中心:材料中因异质界面或缺陷导致的载流子非平衡生成区域。"
"复合结构中能量-物质转换的核心功能单元。"
注:因未检索到可验证的在线权威来源链接,本文释义基于专业工具书共识,建议查阅《英汉技术词典》(清华大学出版社)或IEEE标准术语库以获取进一步验证。
“复合产生中心”是半导体物理中的专业术语,指在半导体材料中促进载流子(电子和空穴)复合或产生过程的特定杂质或缺陷。以下是详细解释:
复合产生中心是半导体中一类特殊的杂质或缺陷,其能级位于禁带较深位置(靠近禁带中央),既能俘获电子也能俘获空穴。这类中心通过“间接复合”机制促进载流子的复合或产生,而非直接导带-价带间的直接复合。
需注意“复合产生中心”可能是对英文“recombination-generation center”的直译,但在中文文献中更常用“复合中心”指代其复合功能,而“产生作用”被视为复合的逆过程。实际应用中,两者常统一讨论,因同一中心可同时参与两种过程。
复合产生中心是半导体中通过深能级实现载流子动态平衡的关键媒介,其存在显著影响器件的电学性能。如需进一步了解具体能级模型或应用案例,可参考半导体物理相关教材或专业文献。
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