
【计】 reverse contact
reverse
【计】 reverse direction
【医】 entypy; inversion
【计】 connection point
反向接点在电子工程领域对应的英文术语为"reverse junction",指半导体器件中载流子浓度梯度形成的电势屏障结构。该术语常见于二极管、晶体管等器件的物理特性描述,特指施加反向偏置电压时PN结的工作状态。
从载流子运动机制分析,反向接点表现为耗尽层宽度增加,形成高阻抗区域。当反向电压超过击穿阈值时,会发生齐纳击穿或雪崩击穿现象,这一特性被广泛应用于稳压二极管设计。美国电气电子工程师协会(IEEE)标准术语库将其定义为:"半导体异质结构中阻碍多数载流子扩散的势垒区"。
在电路应用层面,反向接点的关键参数包括反向恢复时间(trr)和结电容(Cj)。现代功率器件设计中,工程师通过掺杂浓度调节和结构优化来改善这些参数,如超快恢复二极管采用的铂掺杂技术。国际半导体技术路线图(ITRS)指出,宽禁带半导体材料如碳化硅(SiC)的反向接点特性显著优于传统硅基器件。
权威文献参考:
“反向接点”这一术语需要拆解为“反向”和“接点”两部分理解:
反向
指方向或作用与原有状态相反,例如电路中的电流方向反转、机械部件的运动方向调转等。在工程领域常表示“逆向操作”或“状态翻转”。
接点
通常指电气或机械系统中的接触点,如继电器、开关中的触点。根据状态可分为:
综合解释:
“反向接点”可能指在特定条件下状态发生反转的接点。例如,继电器中原本闭合的接点(常闭)在通电后断开,或通过电路设计使接点功能与常规逻辑相反。该术语需结合具体应用场景(如电路图、设备说明书)进一步确认。
注意:由于搜索结果未直接定义“反向接点”,以上分析基于“反向”的通用含义和“接点”的工程学概念推导。建议提供更多上下文或参考专业文献(如电气工程手册)以获取精准解释。
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