
【电】 back bias
in reverse; on the contrary; turn over
【医】 contra-; re-; trans-
【电】 bias; bias voltage
在电子工程领域,"反偏压"对应的英文术语为"reverse bias",指在半导体器件(如二极管、晶体管)中施加的一种特定电压极性配置。根据维基百科的定义,当PN结的P型区连接电源负极、N型区连接正极时,形成的电场方向与内建电场相同,导致耗尽层加宽、多数载流子扩散受阻参考1:Wikipedia: 偏压 (电子学)。
该现象在工程实践中主要呈现三个特征:
需要特别注意的是,长期施加超过器件规格的反向偏压可能导致热载流子注入效应,进而引发器件可靠性问题。美国电气电子工程师协会(IEEE)在器件测试标准IEEE 2427中对此有详细的安全操作范围规定[参考3:IEEE标准文档库]。
反偏压是电子元件(如二极管、三极管)中PN结的一种电压施加方式,具体指外部电压方向与PN结内建电场方向一致的情况。以下是详细解释:
定义与原理
反偏压指在PN结的P区施加负极电压、N区施加正极电压。此时外加电场与PN结内建电场方向相同,导致耗尽层变宽,阻碍载流子扩散,形成高电阻状态。例如二极管反偏时,仅有微小反向饱和电流通过,表现为截止状态。
在器件中的作用
与正偏压的对比
|特性 | 正偏压 | 反偏压 |
|----------------|----------------------|----------------------|
| 电压方向 | P区接正极,N区接负极 | P区接负极,N区接正极 |
| 耗尽层宽度 | 变窄 | 变宽 |
| 电流特性 | 导通(大电流) | 截止(极小电流) |
| 典型应用 | 导通开关、放大 | 截止保护、信号检测 |
注意:反偏压过高可能导致击穿现象(如齐纳击穿或雪崩击穿),需根据器件参数设计电路。
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