逆向电压英文解释翻译、逆向电压的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 revers voltage

分词翻译：

逆向的英语翻译：

converse
【计】 negative direction

电压的英语翻译：

tension; voltage
【化】 voltage
【医】 electric tension; voltage

专业解析

逆向电压（Reverse Voltage）是电子工程与半导体物理中的核心概念，指施加在电子元件（如二极管、晶体管）上与其正常工作极性相反的电压。其英文术语为Reverse Voltage 或Reverse Bias Voltage。

核心特性与原理

极性定义
当二极管阳极（Anode）接电源负极、阴极（Cathode）接电源正极时，所施加的电压即为逆向电压。此时PN结处于反向偏置状态，形成耗尽层（Depletion Region），阻碍电流流动。
电流特性
理想情况下，逆向电压应导致电流为零。实际器件中存在微小反向饱和电流（Reverse Saturation Current, (I_S)），由少数载流子漂移形成，数值通常在微安（μA）或纳安（nA）级，且随温度升高而增大。
击穿现象
当逆向电压超过击穿电压（Breakdown Voltage, (V{BR})）时，会发生雪崩击穿（Avalanche Breakdown）或齐纳击穿（Zener Breakdown），电流急剧增大。公式表达为：

$$ V{text{reverse}} > V{BR} Rightarrow I{text{reverse}} text{ 剧增} $$

关键参数与影响

最大反向工作电压（(V_{RWM})）：器件可安全承受的最高逆向电压，超过此值可能导致永久损坏。
温度依赖性：反向饱和电流 (I_S) 满足：
$$ I_S propto T^{3} e^{-E_g / (kT)} $$

其中 (E_g) 为半导体禁带宽度，(k) 为玻尔兹曼常数。

电容效应：反向偏置下，PN结等效为平行板电容器，结电容 (C_J) 随电压升高而减小。

应用场景

整流电路：利用二极管单向导电性，在反向电压下阻断电流。
稳压二极管：通过可控击穿特性稳定电压（如齐纳二极管）。
光电探测：光电二极管在反向偏压下工作，将光信号转换为电流。

权威参考来源

半导体器件物理基础
逆向电压的微观机制基于PN结理论，详见半导体物理经典著作。

工程实践标准
击穿电压的测试方法及安全规范参考国际电子工程师协会（IEEE）标准。

行业术语定义
“逆向电压”的汉英对照及技术释义可查证《英汉电子工程词典》（科学出版社）。

网络扩展解释

逆向电压，通常称为反向电压，指在电路中施加的电压方向与正常工作方向相反的情况，常见于具有单向导电特性的电子元件（如二极管）。以下是详细解释：

一、定义与基本原理

电压方向相反
当施加的电压极性与元件设计方向相反时即为逆向电压。例如二极管阳极接电源负极、阴极接正极时，形成反向电压（）。
半导体器件中的表现
在二极管或PN结中，反向电压会增强内部电场的阻挡作用，使器件呈现高电阻状态（截止状态），仅有微小漏电流通过（）。

二、产生场景

电源接反：电路误接电源正负极。
交流电负半周：整流电路中，二极管在交流电负半周承受反向电压（）。
电磁感应或瞬态干扰：如雷击或电感负载断开时产生的反向电动势。

三、影响与防护

潜在风险
过高的反向电压可能击穿器件（如二极管雪崩击穿），导致永久损坏或电路短路（）。
防护措施
- 使用保护二极管（如TVS管）吸收瞬态高压。
- 设计电路时需参考器件的最大反向电压（V_R）参数，确保工作电压低于此值。

四、典型应用

整流电路：利用二极管单向导电性，在反向电压时截止，实现交流转直流（）。
稳压保护：齐纳二极管反向击穿后保持稳定电压，用于过压保护。

扩展知识

正向电压 vs 反向电压：正向电压使器件导通（如二极管正向偏置），反向电压则使其截止（）。
击穿电压：特定反向电压阈值后，器件可能发生齐纳击穿或雪崩击穿（）。

如需进一步了解器件参数或具体电路设计，可参考半导体元件的数据手册或专业电路设计指南。