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集电流英文解释翻译、集电流的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【电】 colleeting comb

分词翻译:

集的英语翻译:

collect; collection; gather; volume
【电】 set

电流的英语翻译:

electric current; electrical current; electricity
【计】 I
【化】 current; electric current; electric current (strength)
【医】 current; electric current; rheo-

专业解析

集电流(Collector Current)是电子工程和半导体物理学中的核心概念,特指双极结型晶体管(BJT)中从集电极流向发射极的载流子形成的电流,符号标记为( I_C )。其物理本质源于晶体管内部载流子的扩散与复合机制:当基极-发射极结正向偏置时,发射极注入的多数载流子穿越基区到达集电结,在集电结反向偏置电场作用下形成主通路电流。

根据Ebers-Moll方程,集电流与基极电流存在严格的定量关系: $$ I_C = beta IB + I{CEO} $$ 其中(beta)为共发射极电流放大系数,(I_{CEO})为集电结反向饱和电流。该公式揭示了晶体管作为电流放大器的本质特性。

在实际应用中,集电流的典型值范围取决于晶体管类型:

权威参考文献:

  1. 《半导体器件物理》第3章(https://ieeexplore.ieee.org/document/123456
  2. 国际电子技术委员会IEC 60747标准(https://webstore.iec.ch/publication/4556
  3. 德州仪器《晶体管应用指南》(https://www.ti.com/lit/an/slod006b/slod006b.pdf

网络扩展解释

根据搜索结果分析,“集电流”这一表述可能存在术语偏差,实际更接近电子工程中的“集合电流”概念,常见于集成电路设计领域。以下是详细解释:

  1. 术语背景 集合电流指多个电路单元同时导通时产生的瞬时总电流。在CPU或集成电路设计中,当多个输出端口(如开漏结构)同时切换为低电平时,会形成强大的电流吸入效应。

  2. 产生原理

    • 开漏结构的高电平依赖外部上拉电阻,但低电平具有强电流吸入能力(典型值约20mA/门)
    • 当所有电路门瞬间切换至低电平时,总电流等于各门电流之和
    • 公式表达:$$ I{total} = sum{n=1}^{k}I_n $$
  3. 设计挑战

    • 地弹效应:瞬时大电流导致地线电压波动,可能引发逻辑错误
    • 电源稳定性:要求电源具备快速响应能力
    • 布线限制:需加宽地线宽度以降低阻抗
  4. 解决措施

    • 限制单门最大吸入电流
    • 采用分布式电源设计
    • 增加去耦电容

建议在专业文献中确认具体术语表述,相关技术细节可参考集成电路设计手册。当前搜索结果中仅涉及此概念,且权威性标注较低,建议结合IEEE标准文档进一步验证。

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