
【计】 Hall effect
【计】 Hoare
effect
【医】 effect
霍尔效应(Hall Effect)是电磁学中的基础物理现象,指当电流垂直于外磁场方向通过导体或半导体时,在垂直于电流和磁场的方向上产生电势差的现象。该效应由美国物理学家埃德温·霍尔(Edwin Hall)于1879年发现,其英文术语为"Hall Effect"。
机制解释
载流子(电子或空穴)在磁场中受洛伦兹力(( mathbf{F} = q(mathbf{v} times mathbf{B}) ))作用发生偏转,导致电荷在材料两侧积累,形成横向电场 ( E_H )。当电场力与洛伦兹力平衡时,电势差稳定,称为霍尔电压(( V_H ))。
数学表达
霍尔电压公式为:
$$ V_H = frac{I B}{n e d} $$
其中:
载流子类型与浓度测量
通过霍尔电压极性可判断半导体材料以电子(n型)或空穴(p型)导电,结合公式可计算载流子浓度,是半导体表征的关键技术。
来源:中国科学院物理研究所《半导体物理基础》
磁场传感器
霍尔元件将磁信号转为电信号,广泛应用于电机控制、位置检测(如汽车节气门位置传感器)及电流检测模块。
来源:IEEE Transactions on Industrial Electronics
量子霍尔效应
在低温强磁场下出现量子化电导(( R_H = frac{h}{e} )),为电阻标准提供依据,1985年相关研究获诺贝尔物理学奖。
来源:诺贝尔奖官网
来源:美国物理学会(APS)《应用物理评论》
霍尔效应是电磁学中的重要现象,由美国物理学家埃德温·霍尔(Edwin H. Hall)于1879年发现。其核心描述为:当电流垂直于外磁场通过导体或半导体时,载流子受洛伦兹力作用发生偏转,在垂直于电流和磁场的方向上产生电势差(即霍尔电压)。
物理机制
载流子(电子或空穴)在磁场中运动时受洛伦兹力作用偏转,导致材料两侧电荷积累形成横向电场。当电场力与洛伦兹力平衡时,电荷停止聚集,此时电势差即为霍尔电压。
公式表达为:
$$
V_H = frac{I B}{n e t}
$$
其中,$V_H$为霍尔电压,$I$为电流,$B$为磁感应强度,$n$为载流子浓度,$e$为电荷量,$t$为材料厚度。
霍尔系数
定义为$R_H = frac{1}{n e}$,反映材料特性:n型半导体(电子导电)$R_H$为负,p型半导体(空穴导电)$R_H$为正。
霍尔效应根据条件不同分为四类:
霍尔效应不仅验证了金属中电子导电的微观机制,还为凝聚态物理开辟了新方向(如量子霍尔效应的发现者克劳斯·冯·克利钦获1985年诺贝尔奖)。
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