稽纳二极管英文解释翻译、稽纳二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 Zener diode

分词翻译：

稽的英语翻译：

check; delay; examine; investigate

纳的英语翻译：

accept; admit; receive
【计】 nano

二极管的英语翻译：

diode
【化】 diode

专业解析

稽纳二极管（Zener diode）是电子工程中基于齐纳效应和雪崩效应设计的特殊半导体器件，英文术语对应"Zener diode"。该器件在反向击穿区具有稳定的电压维持特性，广泛应用于电压调节和电路保护领域[来源：维基百科电子元件条目]。

工作原理包含两种机制：

1. 齐纳效应：主要作用于低电压型号（<5V），通过强电场使价带电子直接跃迁至导带
2. 雪崩击穿：主导高电压型号（>5V），载流子与晶格碰撞产生连锁电离效应

   两种机制均能在特定反向电压下形成可控电流通路[来源：《电子学》第3章]。

典型应用场景包含：

• 直流稳压电路（如78XX系列稳压IC的基准电压源）
• 过压保护模块（并联在敏感元件两端）
• 电压箝位系统（防止信号超幅）
• 波形整形电路（利用陡峭的击穿特性）[来源：TI技术文档库]。

关键参数计算公式：

稳定电压

$$VZ = V{Z0} + Z_Z cdot IZ$$

$$P{D(max)} = VZ times I{Z(max)}$$

其中$ZZ$表示动态阻抗，$I{Z(max)}$为最大允许电流[来源：ON Semiconductor规格书]。

网络扩展解释

“稽纳二极管”是“齐纳二极管”（Zener diode）的另一种译法，两者为同一电子元件的不同中文译名，主要用于电路中的电压稳定功能。以下是详细解释：

1. 基本定义
   稽纳二极管是一种利用反向击穿效应（齐纳击穿）实现稳压功能的半导体器件。当反向电压达到特定阈值（即“齐纳电压”）时，二极管进入击穿状态，电流急剧增加但电压保持稳定。

2. 名称来源
   该器件以美国物理学家克拉伦斯·梅尔文·齐纳（Clarence Zener）命名，他首次提出绝缘体电击穿理论。贝尔实验室基于此理论开发出该二极管，并以“齐纳”命名，中文音译为“稽纳”。

3. 工作原理

   • 在反向偏置条件下，当电压达到设计值时，二极管发生齐纳击穿，形成可控的电流通路。
   • 击穿后，电压几乎不随电流变化，从而实现稳压功能。

4. 主要应用

   • 电源电路中的电压基准或过压保护。
   • 信号限幅、稳压器设计等场景。

注意：中文语境中“二极管”有时被引申为“非黑即白”的思维比喻（如所述），但此含义与“稽纳二极管”的技术定义无关，需根据上下文区分。

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