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空间电荷区英文解释翻译、空间电荷区的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【电】 space-charge region

分词翻译:

空间电荷的英语翻译:

space charge
【化】 space charge
【医】 space charge

区的英语翻译:

area; borough; classify; distinguish; district; region; section
【计】 region
【医】 area; belt; field; quarter; regio; region; zona; zone

专业解析

空间电荷区(Space Charge Region)是半导体物理中的核心概念,指PN结附近因载流子扩散与复合形成的缺乏可移动载流子的区域。其汉英对照及详细解释如下:

一、术语定义与形成机制

  1. 中文术语:空间电荷区(亦称耗尽层、势垒区)

    英文术语:Space Charge Region (Depletion Region, Barrier Region)

    指PN结中载流子(电子与空穴)因浓度梯度发生扩散,导致交界面附近形成正负离子固定电荷的区域。该区域因可移动载流子耗尽而得名「耗尽层」。

  2. 形成原理:

    P区空穴向N区扩散,N区电子向P区扩散,在交界处留下不可移动的电离杂质(P区为负离子,N区为正离子),形成由正负电荷构成的内建电场,方向由N区指向P区。


二、物理特性与数学描述

  1. 电场与电势分布:

    内建电场强度 ( E ) 与电荷密度 ( rho ) 满足泊松方程:

    $$

abla phi = -frac{rho}{varepsilon_s}

$$

其中 ( phi ) 为电势,( varepsilon_s ) 为半导体介电常数。

  1. 宽度计算:

    耗尽层宽度 ( W ) 与掺杂浓度成反比:

    $$ W = sqrt{frac{2varepsilon_s}{q} left( frac{1}{N_A} + frac{1}{ND} right) (V{bi}-V)}

    $$

    ( N_A )、( ND ) 为掺杂浓度,( V{bi} ) 为内建电势,( V ) 为外加偏压。


三、功能与应用

  1. 整流特性:

    正向偏压时空间电荷区变窄,载流子可穿越势垒形成电流;反向偏压时展宽,阻断电流(二极管工作原理)。

  2. 电容效应:

    耗尽层宽度随电压变化,形成势垒电容(( C_T = frac{varepsilon_s A}{W} )),应用于变容二极管。


汉英词典对照(权威来源)

中文术语 英文术语 定义描述
空间电荷区 Space Charge Region 载流子耗尽、含固定电荷的半导体区域,产生内建电场。
耗尽层 Depletion Layer 可移动载流子浓度近似为零的区域。
内建电势 Built-in Potential ((V_{bi})) 平衡状态下空间电荷区两侧的电势差。

参考文献(经典教材):

《半导体器件物理》 (施敏, S. M. Sze), 第2章.

《半导体物理与器件》 (Donald A. Neamen), 第5章.

注:因未搜索到可靠网页结果,以上内容依据半导体领域权威教材撰写,建议用户查阅纸质或电子学术文献以获取完整公式推导与实验数据。

网络扩展解释

空间电荷区是半导体物理学中的核心概念,主要存在于PN结中。以下从多个角度详细解释其定义、形成机制及特性:

1.基本定义

空间电荷区(Space Charge Layer)是PN结内部P型与N型半导体交界处形成的极薄电荷区域,又称耗尽层。它由不可移动的正负离子构成,而非自由载流子(电子或空穴)。

2.形成机制

3.结构特点

4.别称“耗尽层”的由来

因多数载流子(P区空穴、N区电子)在此区域被复合耗尽,仅剩固定不动的离子电荷。

5.应用与学科意义

空间电荷区是半导体器件(如二极管、太阳能电池)的核心结构,其特性直接影响器件的单向导电性和光电转换效率。该概念属于固体物理学研究范畴,对理解PN结工作原理至关重要。


如需进一步了解数学建模,空间电荷区宽度公式可表示为: $$ W = sqrt{frac{2epsilon}{q}left(frac{N_A + N_D}{N_A ND}right)(V{bi}-V)} $$ 其中$epsilon$为介电常数,$q$为电荷量,$N_A$和$ND$分别为受主和施主浓度,$V{bi}$为内建电势,$V$为外加电压。

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