破坏读出存储器英文解释翻译、破坏读出存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 deatructive storage

分词翻译：

破坏的英语翻译：

destroy; spoil; ruin; demolish; wreck; sabotage; destruction; subversion
torpedo; wreckage
【计】 blow-up
【医】 destruction
【经】 baffled; breach of confidence

读出的英语翻译：

numerate
【计】 read-out
【经】 read off; read out

存储器的英语翻译：

storage; store
【计】 M; memorizer; S

专业解析

破坏读出存储器（Destructive Read-Out Memory, DROM）是一种计算机存储技术，其核心特征在于读取数据的过程会清除（破坏）存储单元中原有的信息。以下是其关键特性的详细解释：

读取即清除（破坏性读取）：
- 这是破坏读出存储器最核心的特性。当系统从这种存储器的某个单元读取数据时，读取操作本身会导致该单元存储的信息状态发生改变或丢失。例如，在早期的动态随机存取存储器（DRAM）中，读取电容单元存储的电荷会使其放电，从而破坏存储的位信息（0或1）。
需要刷新（Rewrite After Read）：
- 由于读取操作会破坏原有数据，为了保持数据的持久性，系统必须在读取操作之后立即或在极短时间内执行一个“回写”或“刷新”操作。这个操作将读取到的数据值（或根据读取结果重新计算的值）重新写入到同一个存储单元中，以恢复其原始状态。这是维持数据完整性的必要步骤。
易失性存储（Volatile Memory）：
- 破坏读出存储器通常属于易失性存储器（Volatile Memory）范畴。这意味着它不仅会在读取时丢失数据，而且在断电后也无法保留存储的信息。它需要持续的电力供应来维持存储的数据状态（包括通过刷新操作）。
速度与成本优势：
- 尽管需要额外的刷新操作，破坏读出存储器（如DRAM）在历史上和现在仍然被广泛应用，主要因为其结构相对简单，能够实现高存储密度和较低的每位成本，并且提供较快的访问速度（尤其是相对于非易失性存储器如Flash）。其设计允许在单位面积上集成更多的存储单元。

破坏读出存储器是一种通过读取操作会清除存储数据的易失性存储技术。它要求系统在读取后立即执行刷新操作以恢复数据，从而维持信息的完整性。虽然存在这一限制，但其在成本、密度和速度方面的优势使其成为计算机主内存（如DRAM）等关键应用的主流技术。

来源说明：以上解释综合参考了计算机科学教材、半导体存储器技术手册、IEEE文献中关于DRAM工作原理的经典描述以及权威百科对易失性存储器和破坏性读取的定义。具体可参考相关领域的标准教材（如《Computer Organization and Design》）或IEEE Xplore数据库中的技术论文。

网络扩展解释

“破坏读出存储器”是指具有破坏性读出特性的存储器，即当从存储单元中读取数据时，原存储的信息会被破坏。以下是详细解释：

破坏性读出的定义
破坏性读出（Destructive Read）指读取操作会导致存储单元中的原始数据丢失或改变。例如，某些磁性存储器（如早期的磁芯存储器）在读取时需要通过电流改变磁化状态，导致原有数据被清除。
存储器的再生机制
为避免数据丢失，这类存储器需在读取后立即执行再生操作，将数据重新写入原存储单元以恢复信息。再生过程通常由电路自动完成，但对读写速度有一定影响。
典型应用与分类
- 磁芯存储器：历史上曾广泛使用，属于非易失性存储器（断电后数据不丢失），但读取为破坏性操作。
- 动态随机存取存储器（DRAM）：虽非完全破坏性读出，但因电容漏电需周期性刷新，与破坏性读出的再生机制有相似性。
优缺点
- 优点：结构简单，成本较低，适合特定场景（如早期计算机主存）。
- 缺点：读写延迟增加（需额外再生步骤），可靠性受再生频率影响。
与非破坏性读出的对比
现代存储器（如SRAM、Flash）多采用非破坏性读出，即读取后数据保留，无需再生，提升了速度和稳定性。

破坏读出存储器是早期存储技术的一种实现方式，其设计需权衡速度、成本和数据可靠性。随着技术进步，此类存储器已逐渐被非破坏性读出的新型存储介质取代。