泡畴矫顽力英文解释翻译、泡畴矫顽力的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 bubble domain coercivity

分词翻译：

泡的英语翻译：

bubble; froth; infuse; pickle; soak; steep
【医】 bubble; Ves.; Vesic.; vesica; vesicle; vesico-

畴的英语翻译：

【化】 domain

矫顽力的英语翻译：

【计】 coercive force
【化】 coercive force; coercivity
【医】 coercive force

专业解析

泡畴矫顽力（Bubble Domain Coercivity）是磁性材料领域的重要参数，指消除磁泡畴（Bubble Domain）所需施加的最小反向磁场强度。该术语由汉英词典可直译为 "coercivity of magnetic bubble domains"，其物理意义表征材料维持磁泡稳定性的能力。

在铁氧体、石榴石薄膜等磁性材料中，磁泡畴表现为圆柱形磁化区域，其直径通常在微米量级。矫顽力的数值直接影响材料在磁存储器件中的稳定性，例如早期磁泡存储器（Magnetic Bubble Memory）需要通过精确控制矫顽力实现数据持久化存储。

主要影响因素包括：

晶体缺陷：晶界和位错会阻碍磁畴壁移动，导致矫顽力升高（中国物理学会《凝聚态物理术语手册》）
温度依赖性：居里温度附近矫顽力显著下降（美国国家标准与技术研究院磁性材料数据库）
掺杂元素：稀土元素掺杂可调节各向异性场，如钆掺杂钇铁石榴石薄膜矫顽力提升35%

该参数测量通常采用振动样品磁强计（VSM）或磁光克尔效应仪，国际电工委员会（IEC）标准60404-5规定了相关测试方法。

网络扩展解释

泡畴矫顽力是磁性材料领域的一个专业概念，结合了磁畴结构与矫顽力的特性，具体解释如下：

1.基本定义

泡畴：指磁性材料中形成的类似气泡的闭合磁畴结构，常见于磁性薄膜或石榴石铁氧体等材料。这种结构由磁畴壁包围的微小磁化区域构成，形似气泡（参考、中关于磁畴稳定性的描述）。
泡畴矫顽力：特指在存在磁泡畴结构的材料中，使磁感应强度降为零所需施加的反向磁场强度。它反映了材料在特定磁畴形态下抵抗退磁的能力（综合、、的定义）。

2.物理意义

泡畴矫顽力与磁畴壁的移动难度密切相关。磁泡畴的稳定性依赖于畴壁的钉扎效应（如晶界、缺陷等微观结构），这些因素会阻碍畴壁运动，从而需要更强的反向磁场才能退磁（参考中晶粒尺寸对矫顽力的影响）。

3.应用场景

磁泡存储器：20世纪70年代曾用于计算机存储技术，高泡畴矫顽力可增强数据存储的稳定性（结合中关于磁化保持能力的描述）。
高频磁性器件：磁泡畴的动态特性使其适用于微波通信等高频领域。

4.与普通矫顽力的区别

结构特殊性：普通矫顽力描述宏观材料的退磁难度，而泡畴矫顽力针对微观磁泡畴结构的特性（如畴壁移动机制）。
影响因素：除材料成分、温度外，泡畴矫顽力更依赖于薄膜厚度、应力分布等与磁泡形成相关的参数（参考中晶粒尺寸的纳米级影响）。

5.单位与测量

单位与国际标准一致，常用安/米（A/m）或奥斯特（Oe），与普通矫顽力相同（如、所述）。

泡畴矫顽力是磁性材料在磁泡畴结构下的抗退磁能力指标，其数值和机制受微观磁畴形态及畴壁运动的制约，在特定技术领域（如高密度存储）具有重要研究价值。