四层元件英文解释翻译、四层元件的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 four-layer device

分词翻译：

四的英语翻译：

four
【医】 quadri-; Quat; quattuor; tetra-

层的英语翻译：

layer; region; stage; story; stratum; tier
【计】 layer
【医】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

元件的英语翻译：

component; element; organ
【计】 E
【化】 element

专业解析

在电子工程领域，"四层元件"（Four-Layer Device）指具有四个交替掺杂半导体层（通常为PNPN结构）的固态电子器件。其核心特征是通过内部正反馈机制实现电流的开关控制，常见于大功率应用场景。以下是详细解析：

一、术语定义与结构

四层元件（Four-Layer Device）

标准英文对应术语为Thyristor（晶闸管）或Silicon Controlled Rectifier, SCR（可控硅整流器）。其物理结构由四层半导体（P-N-P-N）构成三个PN结（J1/J2/J3），引出阳极（A）、阴极（K）和门极（G）三个电极。该结构可通过门极电流触发导通，属于半控型器件。

二、工作原理

阻断状态
当阳极电压低于转折电压且门极无触发信号时，J2结处于反偏，器件呈高阻态（正向阻断）。

触发导通
门极注入电流引发载流子倍增效应，使J2结击穿，四层结构进入饱和导通（latched state），此时压降低至1-2V 。

关断条件
需将阳极电流降至维持电流（$I_H$）以下，或施加反向电压强制关断。

三、典型应用场景

电力控制：交流调压、直流电机调速、固态继电器（SSR）
保护电路：过压保护（如SIDACtor器件）、浪涌抑制
能量转换：HVDC输电换流阀、不间断电源（UPS）逆变模块
权威行业报告指出，四层器件在10kV以上高压领域市占率超80% 。

四、技术演进分支

类型	英文术语	特性差异
单向晶闸管	SCR	仅正向导通
双向晶闸管	TRIAC	双向对称导通
门极关断晶闸管	GTO (Gate Turn-Off)	门极负脉冲关断
集成门极换流	IGCT	硬驱动关断能力，适用6kV系统

学术定义参考：
IEEE标准协会将四层结构定义为"具有再生开关特性的多结半导体器件"（IEEE Std 100-2000），其开关特性由以下微分方程描述：

$$ frac{dI}{dt} = frac{alpha_1 I + alpha_2 I + I_G}{C_j} $$

其中$alpha_1,alpha_2$为共基极电流增益，$C_j$为结电容。

权威来源：

网络扩展解释

“四层元件”是电子工程领域的一个术语，主要指由四层半导体材料构成的电子器件，常见于晶闸管（thyristor）等开关型元件。以下是详细解释：

1.基本结构

四层元件的核心结构为PNPN 排列，即交替的P型和N型半导体层（例如P-N-P-N）。这种结构形成两个等效晶体管（Q1和Q2）：上层为PNP型，下层为NPN型，中间两层由两者共用。

2.工作原理

截止状态：当正向电压未达到阈值时，元件保持关闭，仅允许极小电流通过。
导通状态：当正向电压超过特定值（触发电压），元件迅速导通，电流急剧增大，类似于开关闭合。
维持导通：导通后即使电压降低，只要电流不低于维持电流，元件仍保持导通状态。

3.常见类型

四层二极管：最简单的四层元件，无控制极，依靠电压触发。
硅单边开关（SUS）：一种单向导通的晶闸管。
肖特基二极管：利用肖特基势垒原理的四层器件。

4.应用场景

四层元件多用于电力控制、整流电路、过压保护等，例如调光器、电机调速器等。其快速开关特性适合高功率场景。

补充说明

需注意“四层元件”在不同语境下可能被混淆，例如：

物联网领域指架构分层（感知层、传输层等）；
PCB设计中的四层板（信号层、电源层等）。
但在电子器件范畴中，特指上述半导体结构。