Zener diode是什么意思，Zener diode的意思翻译、用法、同义词、例句

常用词典

[电子] 稳压二极管；[电子] 齐纳二极管

例句

You cannot replace it by a standard Zener diode!

你不能取代它由一个标准的齐纳二极管！

Output voltage is directly sensed by optocoupler U2 and Zener diode VR2.

输出电压是直接认识到由光耦合器u2和齐纳二极管VR2。

Another line is directed via a diode, preferably a zener diode to the output of the IGBT-based switch.

另一导线经由二极管，优选地是齐纳二极管，导向基于IGBT的开关的输出端。

Other output voltages are possible by adjusting the transformer turns ratio and value of Zener diode VR2.

其它输出电压是可能的，经过调整变压器匝数比齐纳二极管VR2和价值。

In the modern electronic circuit instrument and the equipment, took the voltage datum the zener diode, has a more widespread application.

在现代电子线路仪器和设备中，作为电压基准的稳压二极管，有着较广泛的应用。

同义词

|Zener Diodes;[电子]稳压二极管；齐纳二极管

专业解析

齐纳二极管（Zener Diode）是一种特殊设计的硅半导体二极管，其核心功能在于利用反向击穿特性来实现精确的电压稳定。与普通二极管不同，它在反向偏置电压达到一个特定的临界值（称为齐纳电压或稳压值 Vz）时，会发生可控的、非破坏性的击穿现象，此时反向电流急剧增大，而二极管两端的电压却几乎保持恒定。

其关键特性与应用包括：

工作原理 - 反向击穿：
- 当施加的反向电压超过其额定齐纳电压 (Vz) 时，二极管进入齐纳击穿（低 Vz，约 <5V）或雪崩击穿（高 Vz，约 >7V）区域。
- 在这两种击穿机制下，尽管反向电流可以在很大范围内变化（从几毫安到安培级，取决于二极管的功率能力），二极管两端的电压降却稳定在 Vz 附近。这种特性使其成为理想的电压基准源或电压调节器。
关键参数：
- 齐纳电压 (Vz)：二极管发生击穿并开始稳压的特定反向电压值。Vz 值范围很广，常见的有 2.4V、3.3V、5.1V、6.2V、12V、15V、24V 等，可根据电路需求选择。
- 额定功率 (Pz)：二极管在不超过最高结温时能安全耗散的最大功率（例如 250mW, 500mW, 1W, 5W）。它决定了最大允许的稳压电流 Iz(max) = Pz / Vz。
- 稳压精度/容差： Vz 的实际值与其标称值之间的允许偏差（例如 ±5%）。
- 动态电阻 (Zz)：在击穿区工作时，电压变化量与电流变化量的比值（ΔVz / ΔIz）。Zz 越小，表示二极管的稳压性能越好（电压随电流变化越小）。
- 温度系数 (TC)： Vz 随温度变化的比率。不同 Vz 值的齐纳二极管温度系数不同：
  - Vz ≈ 5.1V 的二极管温度系数接近零。
  - Vz < 5V（齐纳击穿主导）通常具有负温度系数（温度升高，Vz 下降）。
  - Vz > 7V（雪崩击穿主导）通常具有正温度系数（温度升高，Vz 上升）。
电路符号：
- 齐纳二极管的电路符号与普通二极管类似，但在阴极一侧的线条末端添加了一个“Z”形（或类似小旗状）的标记，以区别于普通整流二极管。
主要应用：
- 电压稳压器：最简单的稳压电路是将齐纳二极管与一个限流电阻串联后反向并联在负载两端。当输入电压或负载电流变化时，齐纳二极管通过调整自身电流来维持负载电压稳定在 Vz。
- 电压基准源：为模拟电路（如运算放大器、ADC、DAC）或电源提供精确、稳定的参考电压。
- 过压保护/浪涌保护：并联在敏感元件或电路输入端，当电压异常升高超过 Vz 时，齐纳二极管导通，将电压钳位在安全水平，保护后续电路。
- 波形整形：利用其钳位特性，将信号波形限制在特定电压范围内。

来源参考：

IEEE Standards Association - 提供半导体器件（包括齐纳二极管）的基础原理和标准定义。
NIST (National Institute of Standards and Technology) - 提供电子元件特性与测量的权威信息。

网络扩展资料

Zener diode（齐纳二极管）是一种特殊用途的半导体器件，主要用于电路中的电压稳定。以下是其核心要点：

定义与别名
又称稳压二极管或雪崩二极管，是一种在反向击穿状态下工作的硅半导体二极管。其名称源于物理学家克拉伦斯·齐纳（Clarence Zener），因其最早提出相关击穿理论而得名。
工作原理
通过反向击穿效应实现稳压功能。当反向电压达到特定值（齐纳电压）时，二极管进入击穿区，此时电流大幅变化但电压保持稳定。击穿类型包括齐纳击穿（低电压）和雪崩击穿（高电压），但名称统一沿用“齐纳”。
结构与特性
- 材料多为硅，采用面接触型结构。
- 伏安特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿区更陡峭。
- 关键参数包括稳压值（如7V±5%）、额定功率（如0.3W）等。
应用场景
主要用于低压电源的电压调节，例如保护敏感元件免受过压冲击，或在电路中提供基准电压。典型符号为“ZD”（Zener Diode缩写）。
注意事项
需配合限流电阻使用，避免因电流过大导致损坏。不同型号对应不同稳压值，选型时需参考具体参数。

如需更详细的技术参数或电路设计案例，可查阅电子工程类文献或器件手册。

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