
[地质][电磁] 霍尔效应,内液增阻效应
Plus the quantum Hall effect.
正量霍耳效应。
Hall sensor is made based on Hall effect.
霍尔传感器是基于霍尔效应的。
Hall Effect can be explained with classical galvanomagnetic theory.
霍尔效应可以用经典的电磁理论解释。
Hall effect thrusters were operated on Soviet satellites since 1972.
霍尔效应推力器进行手术自1972年苏联卫星。
The phenomenon, discovery and history of the anomalous Hall effect are reviewed.
文章介绍了在铁磁性材料中反常霍尔效应的发现及其机制研究的历史;
霍尔效应(Hall Effect)是指导体或半导体材料中载流子在磁场作用下产生横向电压的物理现象。该现象由美国物理学家埃德温·霍尔(Edwin Hall)于1879年发现,其核心原理是当电流垂直于外加磁场方向通过材料时,电荷载流子受洛伦兹力作用发生偏转,导致材料两侧形成电势差,称为霍尔电压(( V_H ))。数学表达式为: $$ V_H = frac{I cdot B}{n cdot e cdot d} $$ 其中( I )为电流,( B )为磁感应强度,( n )为载流子浓度,( e )为电子电荷量,( d )为材料厚度。
应用领域
现代发展
量子霍尔效应的发现(1980年)推动了凝聚态物理的突破,相关研究曾两次获得诺贝尔物理学奖(参考来源:诺贝尔奖官网)。
霍尔效应(Hall effect)是电磁学中的一种重要现象,以下为详细解释:
霍尔效应是指当电流垂直于外磁场通过导体或半导体时,载流子受洛伦兹力作用发生偏转,从而在垂直于电流和磁场方向的两端产生电势差的现象。该电势差称为霍尔电压。
1879年由美国物理学家埃德温·赫伯特·霍尔(E.H. Hall)在研究金属导电机制时首次发现。这一发现揭示了磁场与电流相互作用的新特性,为后续半导体研究和应用奠定了基础。
霍尔电压 ( V_H ) 的公式为: $$ V_H = frac{BI}{nqd} $$ 其中:
霍尔效应广泛应用于:
如需进一步了解技术细节或历史背景,可参考搜狗百科或物理学专业文献。
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