EAROM是什么意思,EAROM的意思翻译、用法、同义词、例句
常用词典
abbr. 电改写只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)
例句
The use of EAROM'S has been restricted so far to military applications.
EAROM的使用至今还只限于军事方面。
专业解析
EAROM 是一个电子工程领域的专业术语,它是Electrically Alterable Read-Only Memory 的首字母缩写,中文可译为电可改写只读存储器。
它是一种特殊类型的非易失性存储器(NVM),这意味着即使在移除电源后,存储在其中的数据也不会丢失。EAROM 的关键特性在于其名称中的 "Electrically Alterable"(电可改写):
- 可改写性 (Alterable):与传统的掩模 ROM 或一次可编程 PROM 不同,EAROM 的内容可以通过施加特定的电信号(通常是高于正常工作电压的编程电压)来进行修改或重写。这允许在设备制造后更新存储的信息。
- 只读性 (Read-Only Memory):在正常工作模式下,EAROM 的行为类似于只读存储器。数据可以被反复读取,但不会被正常的读取操作意外修改。写入或擦除操作需要特定的、受控的电信号序列。
- 工作原理:EAROM 通常利用浮栅晶体管的原理(与 EPROM 和 EEPROM 类似)。通过向控制栅施加高电压,可以将电荷注入或移出浮栅,从而改变晶体管的阈值电压,代表存储的数据位(0 或 1)。读取时,通过检测阈值电压来判断存储的状态。
- 与 EPROM/EEPROM 的关系:
- EPROM (Erasable Programmable ROM):需要通过紫外线照射整个芯片来擦除,然后才能用电信号重新编程。擦除操作不便。
- EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM):是 EAROM 概念的更现代、更通用的实现。它允许用电信号对单个字节或字节块进行擦除和重新编程,操作更加灵活方便。
- EAROM:这个术语在历史上通常指代早期的、擦写操作相对复杂(可能需要特殊电压、擦除时间较长、擦写次数有限)的电可改写 ROM。它可以说是 EEPROM 的前身或一个子类。在现代语境中,"EEPROM" 已成为描述此类器件的标准术语,而 "EAROM" 的使用已相对少见。
应用场景:历史上,EAROM 用于需要偶尔更新配置数据、校准参数或小量用户数据,但又需要长期非易失性存储的应用场景,例如早期的电子设备设置存储、游戏卡带存档等。其功能已被更先进、更易用的 EEPROM 和 Flash Memory(闪存,一种基于 EEPROM 技术但具有不同架构的存储器)所取代。
权威来源参考:
- Paul Horowitz, Winfield Hill. The Art of Electronics. 3rd Edition. Cambridge University Press. 这本经典的电子学教材对各种半导体器件和存储器类型(包括 ROM、PROM、EPROM、EEPROM)有清晰的基础性讲解。虽然可能未直接使用 "EAROM" 这个特定术语,但其对 EEPROM 原理的阐述涵盖了 EAROM 的核心概念。
- Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith. Microelectronic Circuits. Oxford University Press. 这本广泛使用的微电子学教材在讨论存储器章节时,会涵盖 ROM 的类型及其工作原理,包括可编程和可擦除类型,为理解 EAROM 提供了理论基础。
- IEEE Xplore Digital Library. 作为电气电子工程师学会的文献数据库,IEEE Xplore 包含大量关于半导体存储器技术发展的原始研究论文和会议记录。搜索 "EAROM" 或 "electrically alterable ROM" 可以找到该技术早期发展和应用的历史文献,这些是高度权威的技术来源。
- Wikipedia: Read-Only Memory. 维基百科的 ROM 词条及其相关页面(如 EPROM, EEPROM)提供了对各类 ROM 技术的概述和比较,通常包含对 EAROM 的定义和它在 ROM 发展史中的定位说明。虽然维基百科是公开编辑的,但其技术类条目通常有较好的参考文献支撑,可作为快速理解的辅助来源。
网络扩展资料
EAROM(Electrically Alterable Read-Only Memory)是一种可电改写的只读存储器,具体含义和特点如下:
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全称与定义
EAROM是Electrically Alterable Read-Only Memory 的缩写,中文译为“可改写只读存储器”或“电改写只读存储器”。它属于非易失性存储器,即使断电也能保留数据,但可通过特定电信号修改存储内容。
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工作原理
与传统的只读存储器(ROM)不同,EAROM允许用户通过电信号多次擦写数据,而无需借助紫外线等物理手段。例如,其单元结构可能采用双晶体管设计(如SIMOS EAROM单元)或氮化物阻挡层技术,以实现更稳定的数据存储。
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应用场景
EAROM常用于需要长期存储且偶尔更新的场景,例如早期计算机的固件、工业控制系统或航天设备(如抗辐射设计的16K位MNOS EAROM)。
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与其他存储器的区别
- ROM:仅能写入一次,不可修改。
- EPROM:需紫外线擦除,EAROM则直接通过电信号操作。
- EEPROM:可视为EAROM的升级版,擦写速度更快、寿命更长。
若需进一步了解技术细节(如具体电路设计),可参考相关电子工程文献或专业资料。
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