n. 双空位，空位对
n.|bivacancy;双空位，空位对
divacancy（双空位缺陷）是材料科学和固体物理学中的重要术语，指在晶体结构中两个相邻的原子空位形成的复合缺陷。这种缺陷通常由晶格中两个邻近原子的缺失构成，可能由辐射损伤、高温退火或机械应力等过程引发。
在半导体和金属材料中，divacancy的存在会显著影响材料的电学、光学和机械性能。例如，在硅晶体中，双空位缺陷会形成深能级陷阱，降低载流子迁移率并改变材料的导电特性。美国国家标准与技术研究院（NIST）的研究表明，divacancy在金刚石中可作为量子比特载体，在量子计算领域具有潜在应用价值。
对divacancy的检测主要依靠正电子湮灭谱（PAS）、透射电子显微镜（TEM）和拉曼光谱等技术。德国马普固体研究所的文献指出，通过第一性原理计算可以精确预测divacancy的形成能和稳定构型，这对新型材料设计具有重要意义。
该术语由前缀"di-"（表示"双"）和"vacancy"（空位）组合而成，国际纯粹与应用化学联合会（IUPAC）将其归类为扩展缺陷范畴。在《材料科学进展》期刊中，研究者详细探讨了divacancy对纳米材料热导率的影响机制。
divacancy（发音：英 [daɪˈveɪkənsi]，美 [daɪˈveɪkənsi]）是一个材料科学领域的专业术语，指晶体结构中相邻的两个原子同时缺失形成的缺陷，即“双空位”或“空位对”。
定义与结构
在晶体中，原子通常按规则排列。当两个相邻的原子位置同时空缺时，称为divacancy。这种缺陷可能由高能粒子撞击、高温处理或材料合成过程中的不完美导致。
应用领域
双空位常见于半导体、金属和陶瓷材料的研究中，可能影响材料的导电性、机械强度或热力学性质。例如，在硅晶体中，双空位可能成为载流子的复合中心，从而改变电学性能。
词源与构成
单词由前缀“di-”（意为“双”）和“vacancy”（空位）组合而成，直译为“双空位”。这一术语多用于学术文献或技术报告中。
如果需要更深入的物理模型或实验数据，可参考材料科学相关教材或研究论文。
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