双空位
The vacancy-concentration effect on the vacancy-migration-energy and the behaviour of divacancies were considered Using a formula derived for the vacancy current in BCC metals.
本文在考虑空位浓度对空位迁移能的影响和双空位效应的情况下，给出了体心立方金属中空位流与空位浓度梯度之间的定量关系。
"Divacancies"（双空位缺陷）是材料科学和固态物理学中的专业术语，指晶体结构中两个相邻原子空位的组合现象。这类缺陷通常由高能粒子辐照、高温退火或机械形变等外部条件诱发，会显著改变材料的电学、热学和力学性质。例如，在半导体材料中，双空位可能作为载流子复合中心，影响器件性能（来源：Springer Materials数据库）。
该术语由前缀"di-"（意为"双"）和"vacancy"（空位）构成，特指晶体晶格中两个缺失原子形成的特定构型。美国国家标准与技术研究院（NIST）的研究表明，硅晶体中的双空位缺陷会在禁带中引入深能级，导致载流子寿命缩短（来源：NIST原子级缺陷研究报告）。在金属材料中，双空位的迁移行为已被证实会影响材料的蠕变和疲劳特性（来源：Elsevier《材料科学进展》期刊）。
“Divacancies”是一个由前缀“di-”（意为“双、两个”）和“vacancies”（空缺/空位）组合而成的专业术语，常见于材料科学或物理学领域，特指晶体结构中两个相邻的空位缺陷。以下是详细解释：
若需更专业的定义或具体案例，建议查阅材料科学领域的文献（如《固体物理导论》或相关研究论文）。当前搜索结果未直接提及该词，以上解释基于构词法和相关领域常识推断。
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