
n. 四层半导体开关管
Binistor(双极-闸流晶体管)是一种结合双极型晶体管和闸流晶体管特性的复合半导体器件,主要用于高功率开关和整流场景。该器件由苏联科学家在20世纪60年代提出,其结构通常包含四层交替掺杂的半导体材料(PNPN),具备三个电极:阳极、阴极和门极。
从工作原理看,Binistor通过门极施加的触发信号控制导通状态。当门极电流达到阈值时,器件进入低阻抗导通模式,直至主电路电流低于维持电流值才会关断。这一特性使其适用于电机调速、电源稳压及脉冲电路等场景,尤其在高电压(>1000V)和大电流(>100A)领域表现突出。
根据《电力电子器件手册》(Power Semiconductor Devices,B. Jayant Baliga著),Binistor的开关速度介于传统晶闸管与绝缘栅双极晶体管(IGBT)之间,典型关断时间为10-50μs,适合工频至中频范围的功率调节。但需注意其热稳定性限制,结温通常不超过125℃以防止热失控。
该器件在工业电源设备和电力传输系统中仍有特殊应用,例如莫斯科动力学院的研究报告曾论证其在核电站备用电源系统的可靠性优势。不过随着IGBT和SiC器件的发展,其市场占比已显著下降。
"binistor"是一个专业术语,具体含义如下:
定义与结构
特性与功能
应用领域
补充说明:由于"binistor"属于较为冷门的专业词汇,建议通过半导体器件手册或早期电子技术文献获取更详细的参数和应用案例。
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