甘恩效應英文解釋翻譯、甘恩效應的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 Gunn effect

分詞翻譯：

甘的英語翻譯：

pleasant; sweet; willingly
【醫】 gluco-; glyco-

恩的英語翻譯：

favour; grace; kindness

效應的英語翻譯：

effect
【醫】 effect

專業解析

甘恩效應（Gunn Effect）是半導體物理學中的一種特殊電學現象，指某些半導體材料（如砷化镓）在施加直流電場時，因内部電子轉移機制産生高頻電流振蕩的現象。該效應由英國物理學家J.B. Gunn于1963年在IBM實驗室首次發現并命名。其核心機制源于半導體導帶中電子能量的非線性分布，當電場強度超過臨界阈值時，電子會從高遷移率能谷轉移到低遷移率能谷，形成負微分電阻特性（Negative Differential Resistance），從而引發自持振蕩。

根據《半導體器件物理》（Physics of Semiconductor Devices）權威教材，甘恩效應的數學表達式可簡化為電流密度與電場的關系式： $$ J = n_0 e v(E) $$ 其中$n_0$為載流子濃度，$e$為電子電荷，$v(E)$為電場相關的電子遷移率函數。當電場強度$E$達到特定值後，$v(E)$呈現負斜率，導緻電流振蕩。

該效應在微波技術領域具有重要應用，例如制造甘恩二極管（Gunn Diode），這類器件無需諧振腔即可直接産生千兆赫茲頻段的微波信號，被廣泛應用于雷達系統、衛星通信和毫米波成像設備。美國國家标準技術研究院（NIST）的公開研究報告指出，基于甘恩效應的振蕩器在頻率穩定性與功耗控制方面仍保持技術優勢。

網絡擴展解釋

甘恩效應（Gunn effect）的英文翻譯為"Gunn effect"，屬于電學領域的專業術語。以下是綜合解釋：

基本定義
甘恩效應指某些半導體材料（如砷化镓）在施加高電壓時，因電子遷移率變化産生的電流振蕩現象。這種現象是微波頻率信號生成的基礎原理之一。
發現與命名
由物理學家J.B. Gunn 于1963年首次在實驗中觀察到，因此以其姓氏命名。
主要應用
利用該效應可制造耿氏二極管（Gunn diode），廣泛應用于雷達、衛星通信等微波設備中，用于産生高頻電磁波。

由于現有搜索結果未提供更詳細的技術參數，建議通過權威物理學文獻或電子工程專業書籍進一步了解其數學模型（如微分負阻特性）及具體電路實現。