矽襯片英文解釋翻譯、矽襯片的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 silicon backing wafer

silicon
【醫】 Si; silicium; silicon

【化】 facing; gland

矽襯片（Silicon Wafer Substrate）是半導體制造中的核心基礎材料，指用于制造集成電路（IC）和其他微電子器件的單晶矽圓片。其詳細含義可從以下角度解釋：

結構與物理特性
矽襯片是由高純度單晶矽錠切割、研磨、抛光而成的薄圓片，具有原子級平整的表面和特定的晶向（如<100>、<111>）。其直徑常見為150mm（6英寸）、200mm（8英寸）和300mm（12英寸），厚度隨直徑增大而減小（如300mm片約775μm）。矽的半導體特性（如可調控的電導率、良好的熱穩定性）使其成為微電子器件的理想載體。
核心功能
作為“襯底”或“基闆”，矽襯片的主要功能是為後續半導體工藝（如光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積）提供機械支撐和電學平台。晶體管、電容、電阻等元件直接在矽片表面或近表面層制造，并通過金屬互連層形成複雜電路。
技術分類
根據應用需求，矽襯片可分為：
- 抛光片（Prime Wafer）：表面超光滑，用于高端邏輯、存儲芯片制造。
- 外延片（Epitaxial Wafer）：在抛光片上生長單晶矽外延層，改善器件性能（如抗闩鎖效應）。
- SOI（Silicon-on-Insulator）：含埋氧層的特殊結構，降低功耗、提高速度。
應用領域
矽襯片是制造CPU、GPU、存儲器（DRAM/NAND）、傳感器、功率器件等幾乎所有現代電子設備芯片的基礎。其質量（如缺陷密度、平整度、純度）直接影響芯片良率和性能。

權威參考來源：

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矽襯片（Silicon Substrate Wafer）通常指以單晶矽（Silicon）為材料制成的薄片狀基底，主要用于半導體、微電子及光電子器件的制造。以下是關鍵點解析：

定義與用途
- 襯片（Substrate）：指器件制造中的基礎材料層，用于承載其他功能材料（如晶體管、電路等）。
- 矽材料特性：矽是半導體工業的核心材料，因其高純度、穩定性和成熟的加工工藝，成為制造集成電路（IC）、傳感器、太陽能電池等的理想選擇。
制造工藝
- 通過晶體生長（如直拉法）制成單晶矽錠，再切割、抛光成厚度約0.1-1mm的圓片（晶圓）。
- 表面需高度平整（納米級粗糙度），以保障後續光刻、沉積等工藝的精度。
分類與規格
- 按尺寸：常見有4英寸（100mm）、6英寸（150mm）、12英寸（300mm）等規格。
- 按摻雜類型：分為P型（摻硼）和N型（摻磷），用于不同半導體器件需求。
應用領域
- 集成電路：CPU、存儲器等芯片的基底。
- 光電子器件：如LED、激光器的支撐材料（需與其他材料如藍寶石結合）。
- MEMS傳感器：微機電系統的結構層。

注意：若用戶需具體技術參數或最新進展，建議參考半導體制造手冊或專業文獻。