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熔融半導體英文解釋翻譯、熔融半導體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【電】 fused semiconductor

分詞翻譯:

熔融的英語翻譯:

【化】 fusion; liquation

半導體的英語翻譯:

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

專業解析

熔融半導體(英文:Molten Semiconductor)指在熔點以上呈液态的半導體材料。與常規固态半導體不同,其原子或離子排列無序,具有獨特的電學、熱學性質及工業應用價值。以下是詳細解釋:


一、術語定義與物理狀态

熔融半導體是加熱至熔點以上而處于液态的半導體物質。此時材料内部長程有序的晶格結構被破壞,原子或離子自由移動,但短程有序性及半導體特性(如禁帶寬度)仍部分保留。其英文術語“Molten Semiconductor”強調其“熔融(Molten)”的物理狀态與“半導體(Semiconductor)”的電學屬性結合。

來源:材料科學基礎文獻中對物态的定義 。


二、核心特性

  1. 電導率反常性

    熔融半導體的電導率隨溫度升高而顯著增大(與金屬相反),符合Arrhenius方程:

    $$ sigma = sigma_0 expleft(-frac{E_a}{k_B T}right) $$

    其中 (E_a) 為激活能,(k_B) 為玻爾茲曼常數。這一特性源于載流子濃度隨熱能增加而指數級上升。

    來源:固态物理學期刊對液态半導體的電輸運研究 。

  2. 結構無序性

    液态下的短程有序結構(如共價鍵或離子簇)仍影響其光學帶隙((E_g)),但能帶邊緣因無序而“拖尾”,導緻帶隙寬度略小于固态。

    來源:美國能源部材料數據庫對熔融矽的結構分析 。


三、典型應用

  1. 晶體生長

    熔融半導體是直拉法(Czochralski) 制備單晶矽的核心工藝狀态,用于制造太陽能電池與集成電路基闆。

    來源:半導體制造技術手冊 。

  2. 熱電轉換材料

    部分硫系熔融半導體(如液态 ( text{Bi}_2text{Te}_3 ))因高熱電系數被用于廢熱回收系統。

    來源:可再生能源材料綜述 。


四、與相關概念的區别

網絡擴展解釋

“熔融半導體”并非标準術語,但可以拆解為“熔融”和“半導體”兩部分進行解釋,并結合可能的實際應用場景進行說明:


一、詞義拆解

  1. 熔融
    指物質在高溫下從固态轉變為液态的過程。例如金屬或晶體材料加熱至熔點後形成的流動狀态,常用于材料加工或提純(如半導體制造中的晶體生長)。

  2. 半導體
    導電性介于導體與絕緣體之間的材料,如矽、鍺等。其特性包括:

    • 電阻隨溫度升高而降低;
    • 可通過摻雜雜質調控導電性;
    • 具有單向導電性(用于二極管等器件)。

二、可能的組合含義

“熔融半導體”可能指以下兩種場景:

  1. 半導體材料的熔融狀态
    在高溫下将半導體(如矽)熔化為液态,用于單晶矽生長或摻雜工藝。例如,通過熔融-凝固法提純半導體材料。

  2. 特殊物态下的半導體性質研究
    少數情況下可能涉及熔融态半導體的物理特性分析,但常規應用中半導體需保持固态以維持性能。


三、注意事項

如需進一步探讨半導體材料加工技術,可參考相關工藝文獻。

分類

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