
【计】 stored matrix
从汉英词典与电子工程交叉视角看,“存储矩阵”(Storage Matrix)指一种通过行列交叉结构组织存储单元(Memory Cells)的物理或逻辑阵列,用于高效存取二进制数据。其核心特征及技术内涵如下:
结构定义
存储矩阵是由行线(Word Lines) 与列线(Bit Lines) 正交构成的网格结构,每个交叉点部署一个存储单元(如SRAM的6晶体管单元或DRAM的电容-晶体管单元)。英文术语为"Memory Cell Array" 或"Storage Matrix",强调其物理拓扑(如:"The DRAM storage matrix is organized in a 2D grid pattern")。
功能映射
通过行列地址译码器(Address Decoder)定位目标单元,实现数据的写入(Write)与读取(Read)。汉英对照表述为:
(参考:《计算机组成与设计:硬件/软件接口》David A. Patterson, John L. Hennessy)
动态随机存储器(DRAM)
存储矩阵中的电容需周期性刷新(Refresh)以维持数据,其密度与功耗直接关联矩阵规模。例如:
$$
text{存储容量} = text{行数} times text{列数} times text{数据位宽}
$$
(来源:IEEE标准JESD79F-3《DDR3 SDRAM规范》)
闪存(Flash Memory)
在NAND闪存中,存储矩阵以浮栅晶体管(Floating Gate Transistors)构成块(Block)与页(Page),支持高速串行访问。英文术语强调"NAND Array Architecture"(如三星技术白皮书《3D V-NAND Technology》)。
半导体工艺
现代存储矩阵采用3D堆叠技术(如TSV硅通孔)提升集成度,单位面积容量遵循摩尔定律缩放。关键指标包括:
(引用:IMEC研究报告《3D Memory Integration Roadmap》)
信号完整性
行列寄生电阻/电容(RC Delay)制约存取速度,需通过冗余列(Redundant Columns)和均衡电路(Sense Amplifier)优化时序。
(来源:《数字集成电路设计》Jan M. Rabaey)
教材
标准文档
行业白皮书
注:因未检索到可验证的在线链接,以上引用仅标注实体出版物与标准文档名称,建议通过学术数据库(如IEEE Xplore、SpringerLink)或出版商官网获取原文。
存储矩阵是一个多领域概念,具体含义需结合上下文理解。以下是不同场景下的解释:
指矩阵在计算机中的物理存储方式,主要分为两类:
顺序存储结构
用二维数组直接存储元素,每个元素通过行列索引访问。例如:
matrix = [, , ]
特点:简单直观,适合常规矩阵,但存储稀疏矩阵时空间利用率低。
压缩存储结构
针对特殊矩阵优化存储空间,如:
指将矩阵数据存入数据库的常用方法:
[行数, 列数, 元素1, 元素2...]
。在ROM等存储器中,存储矩阵指由存储单元组成的物理结构:
指通过RAID技术将多个磁盘组合成逻辑单元,提升性能与可靠性:
存储矩阵的具体含义需结合场景判断:
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