空穴俘获英文解释翻译、空穴俘获的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 hole capture

分词翻译：

空穴的英语翻译：

cavity; hole
【计】 positive carrier; positive hole
【化】 cavity; hole; positive hole

俘获的英语翻译：

capture; seize
【计】 trap; trapping
【化】 capture

专业解析

在半导体物理学中，"空穴俘获"（hole capture）是指材料中的空穴被杂质、缺陷或陷阱中心束缚的物理过程。该现象主要发生在半导体器件内部，当价带中的空穴迁移至带隙中的局域态时，会形成非辐射复合中心，直接影响载流子寿命和器件性能。

根据《英汉电子技术词典》（科学出版社）的定义，空穴俘获的微观机制涉及两种形式：① 直接俘获过程，空穴通过发射声子将能量传递给晶格；② 间接俘获过程，通过多声子发射或俄歇效应完成能量转移。这种载流子动力学过程在太阳能电池和发光二极管中具有关键作用，会降低少数载流子扩散长度达30%-50%。

剑桥大学半导体物理实验室的研究表明，空穴俘获率与陷阱浓度呈正相关关系，其数学模型可表示为： $$ tau^{-1} = Nt sigma v{th} $$ 其中$tau$为载流子寿命，$Nt$是陷阱密度，$sigma$为俘获截面，$v{th}$为载流子热速度。该公式被收录于《半导体器件物理基础》（John Wiley & Sons出版）第三章。

网络扩展解释

“空穴俘获”是固体物理学中的一个专业术语，特指半导体或绝缘体材料中空穴（正电荷载体）被杂质、缺陷等束缚的过程。具体解释如下：

一、定义与原理

空穴的物理意义
空穴是半导体中价带电子脱离后形成的等效正电荷载体（类似“电子的空缺位”），其行为类似于带正电的粒子。
俘获过程
当空穴在材料中移动时，可能被晶体中的杂质、晶格缺陷或特定陷阱中心捕获，导致其无法自由参与导电。这种现象称为空穴俘获，对应的英文为“hole capture”。

二、应用与影响

半导体器件性能
空穴俘获会影响载流子寿命和材料电导率，进而影响晶体管、太阳能电池等器件的效率。例如，过多的俘获中心可能导致电流泄漏或响应速度下降。
光电材料研究
在光电导材料中，空穴俘获与电子俘获共同决定了材料的光电转换特性。

三、相关扩展

俘获现象在物理学中具有多领域意义，例如：

核物理：中子被原子核俘获引发核反应（如核裂变）；
军事术语：传统意义上的“俘获”指战争中缴获物资或俘虏人员（如《魏书》中记载的俘获案例）。

注：如需更专业的半导体物理机制说明，建议参考《固体物理学》教材或相关学术文献。